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J-GLOBAL ID：200903085935598517

磁気記憶装置および磁気記憶アレイ

Inventor： ヘンライン,ヴォルフガング ,  クロイプル,フランツ
Applicant, Patent owner： インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト
Agent (3)： 原 謙三 ,  木島 隆一 ,  金子 一郎
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003512982
Publication number (International publication number)：2004535074
Application date： Jul. 04, 2002
Publication date： Nov. 18, 2004
Summary：

本発明は、磁気記憶装置および磁気記憶アレイに関するものである。磁気記憶装置は、磁化できる第1電極、磁化できる第2電極、および、少なくとも1つのナノチューブを備えている。このナノチューブは、これら2つの電極間に縦方向に配置され、ナノチューブの第1縦端部は第1電極に、ナノチューブの第2縦端部は第2電極に、連結されている。また、磁気記憶アレイは、複数の磁気記憶装置を備えている。

Claim (excerpt)：

磁気記憶装置であって、 磁化できる第1電極を有し、 磁化できる第2電極を有し、かつ 少なくとも1つのナノチューブを有し、当該ナノチューブが、上記電極間で縦方向に配置されているとともに、ナノチューブの第1縦端部では第1電極と、ナノチューブの第2縦端部では第2電極と接続しており、 外部磁界を供給することにより上記磁化できる電極のうち1つの磁化方向を設定することで、記憶情報を不揮発性に記憶できるようになっている、磁気記憶装置。

IPC (5)：

H01L27/105 ,  B82B1/00 ,  G11C11/15 ,  H01L29/06 ,  H01L43/08

FI (5)：

H01L27/10 447 ,  B82B1/00 ,  G11C11/15 110 ,  H01L29/06 601N ,  H01L43/08 Z

F-Term (5)：

5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 固体メモリおよびメモリ形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-312782   Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 磁気電子デバイス及び磁気ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-062425   Applicant：株式会社日立製作所