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J-GLOBAL ID:200903085945516179

高分子グラフト基板製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 関根 武 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002108692
Publication number (International publication number):2003301059
Application date: Apr. 11, 2002
Publication date: Oct. 21, 2003
Summary:
【要約】【課題】 電子・電気素子、医療診断用素子(遺伝子検出剤(DNAチップ)、生体機能検出剤(バイオチップ))、生物素子(ニューロン回路、神経回路)の製造に用いることのできる、生産性に優れると共に有機物含有廃棄物等の廃棄物の低減化を可能にする、高分子グラフト基板製造方法を提供すること。【解決手段】 本発明の高分子グラフト基板製造方法は、紫外線を照射することにより有機酸基を形成し得る感紫外線カップリング剤で基板を被覆して表面修飾基板を作製する工程;上記表面修飾基板に紫外線を照射して基板表面に有機酸基を形成させる工程;上記基板表面に形成された有機酸基を活性化させる化学処理を施す工程;及び活性化された有機酸基と化学反応し得る求核性官能基を含み、該求核性官能基と同種もしくは異種の多価官能基から構成される化合物を、上記有機酸基と化学反応させる工程を含むことを特徴とする。
Claim (excerpt):
(a)紫外線を照射することにより有機酸基を形成し得る感紫外線カップリング剤で基板を被覆して表面修飾基板を作製する工程;(b)上記表面修飾基板に紫外線を照射して基板表面に有機酸基を形成させる工程;(c)上記基板表面に形成された有機酸基を活性化させる化学処理を施す工程;及び(d)活性化された有機酸基と化学反応し得る求核性官能基を含み、該求核性官能基と同種もしくは異種の多価官能基から構成される化合物を、上記有機酸基と化学反応させる工程を含むことを特徴とする高分子グラフト基板製造方法。
IPC (7):
C08J 7/18 CEZ ,  C08J 7/18 CEP ,  C08J 7/18 CER ,  G03F 7/004 521 ,  G01N 33/53 ,  G01N 37/00 102 ,  C08L101:00
FI (7):
C08J 7/18 CEZ ,  C08J 7/18 CEP ,  C08J 7/18 CER ,  G03F 7/004 521 ,  G01N 33/53 M ,  G01N 37/00 102 ,  C08L101:00
F-Term (27):
2H025AA01 ,  2H025AB15 ,  2H025AB16 ,  2H025AB20 ,  2H025AC01 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BH04 ,  2H025DA18 ,  2H025FA03 ,  4F073AA02 ,  4F073AA03 ,  4F073AA07 ,  4F073BA03 ,  4F073BA18 ,  4F073BA19 ,  4F073BA22 ,  4F073BA24 ,  4F073BA26 ,  4F073BA31 ,  4F073BB01 ,  4F073BB02 ,  4F073CA45 ,  4F073EA59 ,  4F073EA60 ,  4F073EA64 ,  4F073FA00
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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