赤外線放射素子およびそれを用いたガスセンサ

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：西川惠清 , 森厚夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004280397
Publication number (International publication number)：2006013415
Application date： Sep. 27, 2004
Publication date： Jan. 12, 2006
Summary：

【課題】従来に比べて長寿命化が可能な赤外線放射素子およびそれを用いたガスセンサを提供する。【解決手段】赤外線放射素子Aは、半導体基板1の厚み方向の一表面側に半導体基板1よりも熱伝導率が十分に小さな断熱層2が形成され、断熱層2よりも熱伝導率および導電率それぞれが大きな層状の発熱体3が断熱層2上に形成され、発熱体3上に通電用の一対のパッド4,4が形成されている。ここにおいて、半導体基板1はシリコン基板により構成している。また、断熱層2および発熱体3は、互いに多孔度の異なる多孔質シリコン層により構成し、発熱体3は、断熱層2よりも多孔度の小さな多孔質シリコン層により構成している。このような赤外線放射素子Aをガスセンサにおける赤外放射源として用いることで赤外放射源の長寿命化を図れる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

発熱体への通電により発熱体を発熱させることで発熱体から赤外線が放射される赤外線放射素子であって、半導体基板の厚み方向の一表面側に半導体基板よりも熱伝導率の小さな断熱層が形成され、断熱層よりも熱伝導率および導電率それぞれが大きな層状の発熱体が断熱層上に形成されてなることを特徴とする赤外線放射素子。

IPC (4)：

H01L 33/00 , G01N 21/01 , G01N 21/35 , H05B 3/10

FI (4)：

H01L33/00 A , G01N21/01 D , G01N21/35 Z , H05B3/10 B

F-Term (20)：

2G059AA01 , 2G059BB01 , 2G059EE01 , 2G059EE11 , 2G059GG09 , 2G059HH01 , 2G059KK01 , 3K092PP20 , 3K092QB02 , 3K092QB14 , 3K092QB21 , 3K092SS02 , 3K092SS28 , 3K092SS33 , 3K092VV40 , 5F041AA43 , 5F041AA47 , 5F041BB27 , 5F041BB33 , 5F041CA33

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

赤外線光源
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-338148 Applicant：株式会社神戸製鋼所, 株式会社堀場製作所
赤外線放射素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-036153 Applicant：アンリツ株式会社
赤外線光源及び赤外線光源を用いたガス濃度検出器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-101234 Applicant：松下電工株式会社

Cited by examiner (4)

特開昭61-193392
印刷ヒータ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-300692 Applicant：松下電器産業株式会社
特開昭58-218786

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