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J-GLOBAL ID：200903086133354295

アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法

Inventor：
坂本 道昭

About 坂本 道昭

, 
吉川 周憲

About 吉川 周憲

, 
中田 慎一

About 中田 慎一


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 開口 宗昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998333035
Publication number (International publication number)：1999231347
Application date： Nov. 24, 1998
Publication date： Aug. 27, 1999
Summary：
【要約】【課題】 画素電極と配線がオーバーラップする構造のTFT(薄型トランジスタ)基板において、高透過率、高耐熱性の層間積層膜を効率的に生産する方法、及びそのようなTFT(薄型トランジスタ)基板を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。【解決手段】 層間絶縁膜の少なくとも一部に有機膜を形成してこれをウェットエッチング法によりパターニングし、この有機膜パターンをマスクとしたドライエッチング法により下地をパターニングする。有機膜の材料としてベンゾシクロブテンポリマー、又はポリシラザン化合物、又はカルド型化合物とエポキシ基とを有する化合物との重合体、又はアクリル系樹脂を用いる。
Claim (excerpt)：
画素電極と配線がオーバーラップする構造のTFT(薄型トランジスタ)基板の層間絶縁膜を形成する工程において、前記層間絶縁膜の少なくとも一部に有機膜を形成してこれをパターニングし、得られた有機膜パターンをマスクとして下地のパターニングを行うことを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
IPC (4)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1333 505 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (4)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1333 505 ,  H01L 29/78 612 D ,  H01L 29/78 619 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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