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J-GLOBAL ID:200903086140019400
非ベンゼノイド炭素系材料及びその製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
蔵合 正博
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998186041
Publication number (International publication number):2000021403
Application date: Jul. 01, 1998
Publication date: Jan. 21, 2000
Summary:
【要約】【課題】 非ベンゼノイド炭素系材料が持つ高いリチウムの吸蔵能力を生かし、低い不可逆容量と繰り返し安定性が高い非ベンゼノイド炭素系材料を実現すること。【解決手段】 (1)非ベンゼン系縮合多環芳香族化合物と易黒鉛化材料を混合した後に熱処理を行う。或いは、(2)易黒鉛化材料と環形成炭素の少なくとも2個に反応性アルキル基を有する単環または縮合多環の芳香族化合物とを反応させた高分子化合物と、非ベンゼン系縮合多環芳香族化合物と混合した後に熱処理を行う。この方法により表面は黒鉛構造に近い層状構造を有するが、内部は炭素層面間隔(d002 )が0.37nm以上の炭素材料が実現され、低い不可逆容量と繰り返し安定性が高いという特性が得られる。
Claim (excerpt):
非ベンゼン系縮合多環芳香族化合物と易黒鉛化材料を混合した後に熱処理することを特徴とする非ベンゼノイド炭素系材料の製造方法。
IPC (7):
H01M 4/58
, C01B 31/02 101
, C10C 3/10
, H01M 4/02
, H01M 4/04
, H01M 4/60
, H01M 10/40
FI (7):
H01M 4/58
, C01B 31/02 101 Z
, C10C 3/10
, H01M 4/02 D
, H01M 4/04 A
, H01M 4/60
, H01M 10/40 Z
F-Term (45):
4G046CA04
, 4G046CA07
, 4G046CB09
, 4G046CC02
, 4G046CC03
, 4H058DA01
, 4H058DA13
, 4H058DA17
, 4H058EA12
, 4H058EA32
, 4H058EA45
, 4H058EA47
, 4H058FA31
, 4H058GA17
, 4H058HA13
, 5H003AA02
, 5H003AA04
, 5H003BA01
, 5H003BA03
, 5H003BB02
, 5H003BC01
, 5H003BC05
, 5H003BC06
, 5H003BD01
, 5H003BD02
, 5H014AA02
, 5H014BB01
, 5H014BB06
, 5H014CC01
, 5H014EE07
, 5H014HH06
, 5H014HH08
, 5H029AJ03
, 5H029AJ05
, 5H029AM03
, 5H029AM04
, 5H029AM05
, 5H029AM07
, 5H029CJ02
, 5H029CJ08
, 5H029CJ28
, 5H029DJ16
, 5H029DJ17
, 5H029HJ13
, 5H029HJ14
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
-
二次電池
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-114881
Applicant:三菱化成株式会社
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非ベンゼノイド炭素系材料の製造法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-238574
Applicant:新技術事業団
-
非ベンゼノイド炭素系材料の製造法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-238576
Applicant:新技術事業団
-
非ベンゼノイド炭素系材料の製造法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-238575
Applicant:新技術事業団, 橋詰賢一
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