X線露光用マスクおよびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994244206
Publication number (International publication number)：1996111369
Application date： Oct. 07, 1994
Publication date： Apr. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】微細な径の開孔パターンを容易に形成し、位相シフト効果を利用してX線露光の解像力を向上させる。【構成】回路パターンを被加工物に転写するX線露光用マスクにおいて、X線透過膜1上に形成されたX線吸収体2に開孔部を形成した後に、開孔部の側壁に重元素4またはX線の位相をシフトさせる物質5を付着させる。

Claim (excerpt)：

X線露光により回路パターンを被加工物に転写するためのX線露光用マスクにおいて、X線吸収体パターンの開孔部の側壁に重元素またはX線の位相をシフトさせる物質を付着させた構造を有することを特徴とするX線露光用マスク。

IPC (4)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , G03F 7/20 503 , G03F 7/20 521

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平1-169927
特開平3-192717
X線露光マスク及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-046461 Applicant：日本電気株式会社

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