シリコンウェーハとシリコンエピタキシャルウェーハ並びにその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：押田良久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998128343
Publication number (International publication number)：1999302098
Application date： Apr. 21, 1998
Publication date： Nov. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】 OFS-リングがウェーハ内部に存在するか、中央に消滅したウェーハで、かつその転位クラスターの発生を抑制したウェーハの製造方法。【解決手段】チョクラルスキー法にて結晶引上を行うに際し、ウェーハ中の炭素濃度が1.0×1016cm3(new ASTM)以上となるように炭素を添加し、OSF-リングがウェーハ外周の内部に現れるか中心部で消滅するような低速引上で育成することにより、得られた同一のインゴットより、デバイス用ウェーハ、パーティクルモニター用ウェーハに加えて、エピタキシャル成長用基板を取り出すことができ、インゴットの利用範囲が拡大できるため、容易に製造でき、これらすべての品種のウェーハのコストを低減できる。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法にて結晶引上げしてウェーハ化したシリコンウェーハであり、ウェーハ中に炭素を1.0×1016atoms/cm3(new ASTM)以上含み、酸素誘起積層欠陥リングがウェーハ外周の内部に現れるか中心部で消滅したシリコンウェーハ。

IPC (2)：

C30B 29/06 , H01L 21/205

FI (2)：

C30B 29/06 A , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

シリコン単結晶ウェーハおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-158458 Applicant：住友シチックス株式会社
特開平1-242493
シリコン単結晶及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-093299 Applicant：住友金属工業株式会社

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