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J-GLOBAL ID：200903086267033126

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法

Inventor：
幡 俊雄

About 幡 俊雄


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996237049
Publication number (International publication number)：1998084165
Application date： Sep. 06, 1996
Publication date： Mar. 31, 1998
Summary：
【要約】【課題】 品質の高い再成長界面を有し、信頼性及び素子特性を向上できる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 低抵抗N型SiC基板1上に、N型GaNバッファ層2、N型Al0.1Ga0.9Nクラッド層3、ノンドープIn0.15Ga0.85N活性層4、MgドープA10.1Ga0.9Nクラッド層5、N型Al0.05Ga0.95N内部電流狭窄層7、MgドープAl0.1Ga0.9Nクラッド層8及びMgドープGaNコンタクト層9をこの順に形成し、低抵抗N型SiC基板1の底面にN型用電極11を、MgドープGaNコンタクト層9の上面にP型用電極10を形成する。その上で、N型Al0.05Ga0.95N内部電流狭窄層7及び露出したMgドープAl0.1Ga0.9Nクラッド層8の表面を覆うように表面保護層7’を形成する。
Claim (excerpt)：
基板上に窒化ガリウム系化合物半導体層を複数積層してなる積層構造体を形成した窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、該積層構造体は、活性層と、該活性層を挟む基板側の下部クラッド層及び反基板側の上部クラッド層と、該上部クラッド層上に形成され、開口を有する内部電流狭窄層と、該内部電流狭窄層を覆う表面保護層と、該表面保護層の上に形成された再成長層とを有し、該表面保護層を該再成長層の再成長温度よりも低い成長温度で成長させた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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