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J-GLOBAL ID：200903086356524370
半導体装置およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996104978
Publication number (International publication number)：1997293870
Application date： Apr. 25, 1996
Publication date： Nov. 11, 1997
Summary：
【要約】【課題】 エキシマレーザアニーリングによって、ガラス基板上のアモルファスシリコン膜を溶融した後固化して多結晶シリコン膜を生成すると、冷却の不均一性により多結晶シリコン結晶粒界の方位が不揃いになり、それを用いた薄膜トランジスタは特性ばらつきを生じた。【解決手段】 ガラス基板11上に電気絶縁性を有するアルカリ金属イオン阻止膜13が形成されていて、その上に多結晶シリコン膜18が形成されているとともに、多結晶シリコン膜18をアクティブ領域に用いた薄膜トランジスタ1 が形成されている半導体装置において、ガラス基板11とアルカリ金属イオン阻止膜13との間にガラス基板11上のほぼ全面にわたって、ガラス基板11より熱伝導率の高い電気伝導膜12を形成したものである。
Claim (excerpt)：
ガラス基板上に電気絶縁性を有するアルカリ金属イオン阻止膜が形成されていて、前記アルカリ金属イオン阻止膜上に多結晶シリコン膜が形成されているとともに、該多結晶シリコン膜をアクティブ領域に用いた薄膜トランジスタが形成されている半導体装置において、前記ガラス基板と前記アルカリ金属イオン阻止膜との間に前記ガラス基板上のほぼ全面にわたって、該ガラス基板より熱伝導率の高い電気伝導膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/20
, H01L 21/268
H01L 29/78 627 G
, H01L 21/20
, H01L 21/268 Z
, H01L 29/78 616 L
, H01L 29/78 626 C
