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J-GLOBAL ID:200903086391288183

垂直磁気異方性を有するFePt磁性薄膜とその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003313158
Publication number (International publication number):2004311925
Application date: Sep. 04, 2003
Publication date: Nov. 04, 2004
Summary:
【課題】 より低い温度での成膜が可能とされ、しかも垂直磁気異方性を有する新しいFePt磁性薄膜とその製造方法を提供する。【解決手段】 原子組成比が、次式 FeXPt100-X (19<x<52)で表わされるFePt磁性薄膜とする。【選択図】図2
Claim (excerpt):
原子組成が、次式 FexPt100-X (19<x<52) で表わされることを特徴とするFePt磁性薄膜。
IPC (8):
H01F10/14 ,  G11B5/64 ,  G11B5/65 ,  G11B5/66 ,  G11B5/73 ,  G11B5/738 ,  G11B5/851 ,  H01F41/18
FI (8):
H01F10/14 ,  G11B5/64 ,  G11B5/65 ,  G11B5/66 ,  G11B5/73 ,  G11B5/738 ,  G11B5/851 ,  H01F41/18
F-Term (18):
5D006BB05 ,  5D006BB07 ,  5D006BB08 ,  5D006CA01 ,  5D006CB04 ,  5D006CB07 ,  5D006EA03 ,  5D112AA02 ,  5D112AA03 ,  5D112AA05 ,  5D112BA02 ,  5D112BB02 ,  5D112BD03 ,  5D112FA04 ,  5D112GB03 ,  5E049AA01 ,  5E049BA08 ,  5E049GC01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • FePt磁性薄膜の製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2001-288171   Applicant:独立行政法人物質・材料研究機構
Cited by examiner (5)
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