低転位窒化ガリウムの結晶成長方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：若林忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997186583
Publication number (International publication number)：1999031864
Application date： Jul. 11, 1997
Publication date： Feb. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】表面付近の貫通転位密度の低い窒化ガリウムの結晶成長方法を提供すること。【解決手段】 (0001)面を表面とする窒化ガリウム層の表面に、[11-20]方向に平行なストライプ状の開口部を有するマスクを形成し、マスク開口部にのみ選択的に結晶成長により窒化ガリウム層を形成し、前記マスクを除去し、基板を温度900°C以上に熱する。窒化ガリウムは高温で非常に顕著なマストランスポートを示す性質があり、マストランスポート前に窒化ガリウム層に存在した、c軸に沿って表面に達する貫通転位の多くは、(0001)面に平行な方向に向きを変える。このため、マストランスポート前に窒化ガリウム層の表面付近に109 cm-2程度の密度で存在した貫通転位は、マストランスポート後に107 cm-2程度の密度にまで減少する。

Claim (excerpt)：

(0001)面または(0001)面とのなす角が5°以内である面を表面とする窒化ガリウム層、または単結晶基板の表面に、開口部を有するマスクを形成する工程と、前記マスクの開口部にのみ選択的に結晶成長により窒化ガリウム層を形成する工程と、前記マスクを除去する工程と、基板を温度900°C以上に熱する工程とを、前記順序で少なくとも含む、窒化ガリウムの結晶成長方法。

IPC (3)：

H01S 3/18 , H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (3)：

H01S 3/18 , H01L 21/205 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-075005 Applicant：株式会社日立製作所
エピタキシャル成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-198305 Applicant：松下電器産業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-295433 Applicant：日亜化学工業株式会社

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