半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000306457
Publication number (International publication number)：2002118175
Application date： Oct. 05, 2000
Publication date： Apr. 19, 2002
Summary：

【要約】【課題】p型MISFET及びn型MISFETの金属ゲート電極として、それぞれ最適な仕事関数を有する材料を用い、低しきい値電圧のMISFETを形成する。【解決手段】N型MISトランジスタのゲート電極は、ゲート絶縁膜615に接し、仕事関数φfが、閾値電圧Vthに対し、Vth+3.9≦φf≦Vth+4.1である第1の金属膜616を具備し、P型MISトランジスタのゲート電極は、ゲート絶縁膜615に接し、仕事関数φfが、5.1+Vth≦φf≦5.3+Vthである第2の金属膜617を具備してなる。

Claim (excerpt)：

N型MISトランジスタ及びP型MISトランジスタが形成された半導体装置であって、前記N型MISトランジスタのゲート電極は、ゲート絶縁膜に接し、仕事関数φf[eV]が、閾値電圧Vth[V]に対し、Vth+3.9≦φf≦Vth+4.1である第1の金属含有膜を具備し、前記P型MISトランジスタのゲート電極は、前記ゲート絶縁膜に接し、仕事関数φf[eV]が、前記閾値電圧Vth[V]に対し、5.1+Vth≦φf≦5.3+Vthである第2の金属含有膜を具備してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 21/28 , H01L 21/28 301 , H01L 29/43

FI (4)：

H01L 21/28 B , H01L 21/28 301 R , H01L 27/08 321 D , H01L 29/62 G

F-Term (37)：

4M104AA01 , 4M104BB02 , 4M104BB16 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB39 , 4M104CC05 , 4M104DD03 , 4M104DD04 , 4M104DD26 , 4M104DD64 , 4M104DD75 , 4M104DD81 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104HH16 , 4M104HH20 , 5F048AA00 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB09 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB14 , 5F048BC06 , 5F048BD04 , 5F048BD05 , 5F048BE03 , 5F048BG14 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F048DA30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置の製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-242059 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
CMOS半導体素子およびその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-182673 Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
特開昭62-076665

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