Pat
J-GLOBAL ID:200903086546293502
荷電粒子照射装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
大岩 増雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999168562
Publication number (International publication number):2000354637
Application date: Jun. 15, 1999
Publication date: Dec. 26, 2000
Summary:
【要約】【課題】 照射時間を短縮し、患者への負担と危険性とを低減することが可能な大強度短時間照射の荷電粒子照射装置を得る。【解決手段】 エネルギーの異なる複数の荷電粒子ビーム1A、1Bを供給する線源と、このエネルギーの異なる複数の荷電粒子ビーム1A、1Bをそれぞれのエネルギーに応じた曲率半径で偏向する偏向電磁石10と、エネルギーの異なる複数の荷電粒子ビーム1A,1Bをそれぞれのエネルギーに応じた異なる導入角で偏向電磁石10に導入する輸送系と、偏向電磁石10から出射される荷電粒子ビーム6を被照射体に照射する照射系11とを備え、エネルギーの異なる複数の荷電粒子ビーム1A、1Bが偏向電磁石10により偏向され、ほぼ同一軌跡に合成されて出射されるように構成したものである。
Claim (excerpt):
エネルギーの異なる複数の荷電粒子ビームを供給する線源、このエネルギーの異なる複数の荷電粒子ビームをそれぞれのエネルギーに応じた曲率半径で偏向する偏向装置、前記エネルギーの異なる複数の荷電粒子ビームをそれぞれのエネルギーに応じた異なる導入角で前記偏向装置に導入する輸送系、前記偏向装置から出射される荷電粒子ビームを被照射体に照射する照射系を備え、前記エネルギーの異なる複数の荷電粒子ビームが前記偏向装置により偏向され、ほぼ同一軌跡に合成されて出射されるように構成したことを特徴とする荷電粒子照射装置。
IPC (3):
A61N 5/10
, G21K 5/04
, H01J 37/147
FI (3):
A61N 5/10 H
, G21K 5/04 W
, H01J 37/147 Z
F-Term (9):
4C082AA01
, 4C082AC04
, 4C082AC05
, 4C082AE01
, 4C082AG01
, 4C082AG02
, 4C082AG03
, 4C082AG12
, 4C082AG44
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
-
特開昭60-154442
-
治療用中性子照射装置及び照射方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-224914
Applicant:三菱重工業株式会社
-
荷電粒子ビーム照射装置および荷電粒子ビーム照射方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-178048
Applicant:株式会社日立製作所
Return to Previous Page