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J-GLOBAL ID：200903086572555965

ナノワイヤ製造方法及び電子装置

Inventor： バッケルス エリク ピー エイ エム ,  ローゼブーム フレッディ ,  フェルホエヴェン ヨハンネス エフ シー エム ,  ファン デル スルイス パウル
Applicant, Patent owner： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
Agent (3)： 津軽 進 ,  宮崎 昭彦 ,  笛田 秀仙
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003581245
Publication number (International publication number)：2005522030
Application date： Mar. 26, 2003
Publication date： Jul. 21, 2005
Summary：

本方法において、ナノワイヤが形成されるよう半導体基板がエッチングされる。この基板は、第1の材料の第1の層と第2の材料の第2の層とを相互接合した形で有し、第1の材料と第2の材料とは異なるものである。これらは、ドーピングタイプが異なるものとされうる。或いは、材料の主たる構成要素が異なるものとしてもよく、例えば、Siに対するSiGe若しくはSiC又はInAsに対するInPとすることができる。得られるナノワイヤにおいては、接合が非常に小さく鋭いものとなる。第1電極と第2電極との間にナノワイヤを持つ電子装置は、これにより非常に良好なエレクトロルミネッセント特性及び光電子特性を有する。

Claim (excerpt)：

ナノワイヤを製造する方法であって、 ・半導体基板の表面にパターン化されたエッチングマスクを設けるステップと、 ・前記半導体基板の表面に略垂直な方向においてナノワイヤを形成するよう前記半導体基板をエッチングするステップと、 を有し、 ・前記半導体基板は、互いに隣り合う形で第1材料の第1の層と第2の材料の第2の層とを有し、 ・前記ナノワイヤが前記第1の材料の第1の領域と前記第2の材料の第2の領域とを有するようにナノワイヤを形成するために前記第1及び第2の層に対してエッチングが行われる、 方法。

IPC (4)：

H01L29/06 ,  B82B3/00 ,  H01L29/786 ,  H01L33/00

FI (5)：

H01L29/06 601N ,  B82B3/00 ,  H01L33/00 A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618C

F-Term (20)：

5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CB36 ,  5F110AA04 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG22 ,  5F110HK02 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 量子細線構造の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-122438   Applicant：光技術研究開発株式会社, 松下電器産業株式会社
• 擬1次元電界効果トランジスタとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-257948   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-161299   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-154700   Applicant：松下電器産業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Dispersion, refinement, and manipulation of single silicon nanowires