被成膜面の改質方法及び半導体装置の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：岡本啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001001759
Publication number (International publication number)：2001345306
Application date： Jan. 09, 2001
Publication date： Dec. 14, 2001
Summary：

【要約】【課題】プラズマ照射或いは高温加熱、真空中の処理等の付加的なエネルギを用いることなく、極めて簡単な手法により被成膜面への成膜に対する下地依存性をほぼ完全に消去することができる被成膜面の改質方法及びこの改質方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】被成膜基板102の被成膜面12aに絶縁膜15を成膜する前の被成膜面12aに、アンモニア、ヒドラジン、アミン、アミノ化合物或いはこれらの誘導体を含むガス、又は水溶液を接触させる工程と、次いで、過酸化水素、オゾン、酸素、硝酸、硫酸或いはこれらの誘導体を含むガス又は水溶液を被成膜面12aに接触させる工程とを有する。

Claim (excerpt)：

被成膜基板の被成膜面に絶縁膜を成膜する前の前記被成膜面に、アンモニア、ヒドラジン、アミン、アミノ化合物或いはこれらの誘導体を含むガス、又は水溶液を接触させる工程と、次いで、過酸化水素、オゾン、酸素、硝酸、硫酸或いはこれらの誘導体を含むガス又は水溶液を前記被成膜面に接触させる工程とを有することを特徴とする被成膜面の改質方法。

IPC (4)：

H01L 21/306 , C23C 16/02 , C23C 16/34 , C23C 16/40

FI (5)：

C23C 16/02 , C23C 16/34 , C23C 16/40 , H01L 21/306 D , H01L 21/302 P

F-Term (22)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA14 , 4K030BA40 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA04 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030LA02 , 5F004AA14 , 5F004BA19 , 5F004BD04 , 5F004DA00 , 5F004DA26 , 5F004DA27 , 5F004EA10 , 5F004EA34 , 5F004EB03 , 5F043AA40 , 5F043BB27

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-198369 Applicant：川崎製鉄株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-068854 Applicant：川崎製鉄株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-052412 Applicant：川崎製鉄株式会社

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