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J-GLOBAL ID:200903086637976165
発光ダイオードとその製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
山田 行一 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001107502
Publication number (International publication number):2002246640
Application date: Apr. 05, 2001
Publication date: Aug. 30, 2002
Summary:
【要約】【課題】 歩留まりがよく低コストで単純な構造のLEDを提供する。【解決手段】 発光ダイオード(LED)とその製造方法を開示する。本発明では、光吸収基板を含むLEDエピタキシャル構造と透明基板とを接合するための弾力的な透明粘着性物質材料層が用いられる。そして、光吸収基板を除去して透明基板を含むLEDを形成する。透明基板を使うことによってLEDの発光効率が著しく改善される。
Claim (excerpt):
発光ダイオードであって、光吸収基板上に形成された多層AIGaInPエピタキシャル構造をもつLEDエピタキシャル構造と、透明基板と、前記透明基板と前記多層AlGaInPエピタキシャル構造とを接合するための弾力的な透明粘着性物質材料とを備える発光ダイオード。
FI (2):
H01L 33/00 B
, H01L 33/00 N
F-Term (8):
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041CA01
, 5F041CA08
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA74
, 5F041DA04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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発光ダイオードの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-320334
Applicant:シャープ株式会社
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透光導電薄膜応用の半導体結晶結合方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-297777
Applicant:黄國欣
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特開平4-010536
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半導体発光素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-181197
Applicant:沖電気工業株式会社, 技術研究組合新情報処理開発機構
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光半導体チップおよび光半導体チップの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-332727
Applicant:ローム株式会社
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半導体発光素子の製法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-015926
Applicant:ローム株式会社
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