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J-GLOBAL ID：200903086648411496

選択的シリコン成長を用いる金属接点方式

Inventor： グリーン マーティン アンドリュー ,  ベンハム スチュアート ロス
Applicant, Patent owner： ユニサーチ リミテッド
Agent (1)： 吉田 研二 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998544572
Publication number (International publication number)：2001525122
Application date： Apr. 23, 1998
Publication date： Dec. 04, 2001
Summary：

【要約】半導体デバイスに接点を形成する方法を提供する。この方法では、接触すべき活性領域上に絶縁層を形成し、絶縁層に穴または開口を形成して活性領域を露出させ、絶縁層上にアルミニウム層を設けることを含む。非結晶性半導体材料または損傷結晶性材料の供給源が、アルミニウム層に接して配置される。それにより、非結晶性または損傷結晶性材料はアルミニウム層内に溶解し、接触すべき半導体材料の表面上に再付着する。半導体材料は、固相エピタキシャル成長によって被着し、アルミニウム原子を保持する。それにより半導体材料は、高くドープされたp型材料となる。

Claim (excerpt)：

半導体デバイスに小領域の接点を形成し、同時に、再結合速度の速い金属/半導体インタフェースを成長または付着させた高ドープ層によって前記デバイスの活性領域から絶縁する方法であって、 i)誘電体でコーティングされた接触すべき半導体材料上に薄いアルミニウム層を形成し、前記半導体材料の少なくとも小領域が前記誘電体層の間隙または穴または開口を通じて前記アルミニウムに露出されるステップと、 ii)非晶質半導体材料を前記アルミニウム層上に付着させるステップと、 iii)前記非晶質半導体材料の付着の際あるいは前記非晶質材料の付着後にアルミニウムと前記半導体材料との共融温度より低い温度に前記デバイスを加熱することで、半導体材料が、前記アルミニウム層内を移動し、前記アルミニウム層からのアルミニウム原子によってp+にドープされた結晶性層を前記アルミニウム層の下層の表面上に形成するステップと、 を含むことを特徴とする方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 多結晶半導体膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-052052   Applicant：三洋電機株式会社
• 特開昭58-053870
  
• 特開昭54-087198
  
• 特開昭62-113484
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Applied Physics Letters, 1977, Vol.31, No.2, p.125-126