窒化物半導体から成る単体基板の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001132670
Publication number (International publication number)：2002329665
Application date： Apr. 27, 2001
Publication date： Nov. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】異種基板上に窒化物半導体を厚膜成長させ、貫通転位を低減させた窒化物半導体を得ることを目的とする。【解決手段】異種基板上に窒化物半導体を成長させ、窒化物半導体内に成長界面を形成し、その後、ワイヤーソーにより単体の窒化物半導体を得る。

Claim (excerpt)：

異種基板上に気相エピタキシャル成長法により成長させた窒化物半導体基板から異種基板を除去することにより窒化物半導体から成る単体基板を製造する方法において、異種基板上に窒化物半導体を2段階成長させることにより窒化物半導体内に成長界面を有する窒化物半導体基板を形成する工程と、成長界面を形成した後、窒化物半導体基板をワイヤーソーで成長界面に対して平行方向に切断することにより異種基板を除去する工程と、を備える窒化物半導体から成る単体基板の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/20 , H01L 21/02 , H01L 21/205 , H01L 21/304 611 , H01L 33/00 , H01S 5/323 610

FI (6)：

H01L 21/20 , H01L 21/02 B , H01L 21/205 , H01L 21/304 611 W , H01L 33/00 C , H01S 5/323 610

F-Term (42)：

5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA77 , 5F045AA02 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC19 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AD17 , 5F045AD18 , 5F045AF02 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045AF12 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045DA53 , 5F045DA67 , 5F045GH08 , 5F052DA04 , 5F052DB01 , 5F052GC06 , 5F052GC07 , 5F052GC10 , 5F052HA03 , 5F052JA07 , 5F052KA02 , 5F073BA05 , 5F073BA06 , 5F073CA17 , 5F073CB02 , 5F073CB05 , 5F073DA05 , 5F073DA07 , 5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

GaN単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-062815 Applicant：三菱電線工業株式会社
半導体部材の製造方法、半導体基体の利用方法、半導体部材の製造システム、半導体部材の生産管理方法及び堆積膜形成装置の利用方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-085019 Applicant：キヤノン株式会社

Cited by examiner (3)

GaN単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-062815 Applicant：三菱電線工業株式会社
半導体部材の製造方法、半導体基体の利用方法、半導体部材の製造システム、半導体部材の生産管理方法及び堆積膜形成装置の利用方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-085019 Applicant：キヤノン株式会社
GaN単結晶基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-183446 Applicant：住友電気工業株式会社

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