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J-GLOBAL ID：200903086751315276

外部共振器型半導体レーザ

Inventor： 加藤 隆志
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 越場 隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999322842
Publication number (International publication number)：2001144370
Application date： Nov. 12, 1999
Publication date： May. 25, 2001
Summary：

【要約】【課題】簡素な構成でキンクを抑制した外部共振器型半導体レーザを提供する。【解決方法】互いに対向する1対の端面のうちの一方を高反射面1aとし他方を低反射面1bとした発光素子1と、発光素子1の低反射面1bに光学的に結合され反射器として機能する回折格子3aを端部近傍に形成された光ファイバ3とを備え、発光素子1の高反射面1aと光ファイバ3に形成された回折格子3aによりレーザ共振器を形成するように構成された外部共振器型半導体レーザにおいて、更に、光ファイバ3内に、レーザ共振器に対して反射光を戻す戻し光生成用反射器3bを備える。

Claim (excerpt)：

互いに対向する一対の端面のうちの一方を高反射面とし、他方を低反射面とした半導体光増幅素子と、反射器として機能する回折格子が形成され、該増幅素子の該低反射面側に光学的に結合された光ファイバとを備え、該半導体増幅素子の高反射面と該回折格子とが光共振器を形成するように構成された外部共振器型半導体レーザであって、該光ファイバ内の該光共振器よりも外側に、該光共振器内に反射光を戻す戻り光生成用反射器を備えることを特徴とする外部共振器型半導体レーザ。

F-Term (9)：

5F073AA63 ,  5F073AA83 ,  5F073AB25 ,  5F073AB28 ,  5F073EA16 ,  5F073EA18 ,  5F073FA05 ,  5F073FA06 ,  5F073FA25

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体レーザモジュール
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-018257   Applicant：住友電気工業株式会社
• 半導体レ-ザモジュ-ル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-374736   Applicant：日本電気株式会社