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J-GLOBAL ID:200903005004648495

バルク酸化物超電導体の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 秋田 収喜
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996065981
Publication number (International publication number):1997255335
Application date: Mar. 22, 1996
Publication date: Sep. 30, 1997
Summary:
【要約】【課題】 超電導特性のよい、大きい磁場(強い磁場)を発生するバルク酸化物超電導体の製造方法を提供する。【解決手段】 半溶融法(メルトプロセス法)でREBa2Cu3O7-x(xは酸素欠損量、REはイットリウムを含むランタノイド元素)系の超電導体バルクを製造するバルク酸化物超電導体の製造方法であって、前記REBa2Cu3O7-xの結晶成長時の雰囲気を酸素雰囲気としたものである。
Claim (excerpt):
半溶融法(メルトプロセス法)でREBa2Cu3O7-x(xは酸素欠損量で0〜0.5、REはイットリウムを含むランタノイド元素)系のバルク超電導体を製造するバルク酸化物超電導体の製造方法であって、前記REBa2Cu3O7-xの結晶成長時の雰囲気を酸素雰囲気としたことを特徴とするバルク酸化物超電導体の製造方法。
IPC (5):
C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C30B 29/22 501 ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01B 13/00 565
FI (5):
C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 S ,  C30B 29/22 501 B ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01B 13/00 565 D
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (12)
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