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J-GLOBAL ID：200903086846203637

嫌気性アンモニア酸化細菌の培養方法及び装置

Inventor：
井坂 和一

About 井坂 和一

, 
角野 立夫

About 角野 立夫

, 
常田 聡

About 常田 聡


Applicant, Patent owner：
株式会社日立プラントテクノロジー

About 株式会社日立プラントテクノロジー


Agent (1)： 松浦 憲三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005071558
Publication number (International publication number)：2006246847
Application date： Mar. 14, 2005
Publication date： Sep. 21, 2006
Summary：
【課題】アンモニアと亜硝酸とを基質とする嫌気性アンモニア酸化細菌の培養において、基質を無駄なく供給して高い菌体濃度の種汚泥を生成したり、運転の立ち上げを短期間で行うことができる。【解決手段】亜硝酸とアンモニアを基質として嫌気的に脱窒を行なう嫌気性アンモニア酸化細菌を培養槽12で培養する嫌気性アンモニア酸化細菌の培養装置10において、培養槽12にアンモニアを所定濃度で供給するアンモニア供給手段14と、培養槽12に亜硝酸を所定濃度で供給する亜硝酸供給手段16と、基質の供給速度Yを制御する制御装置22と、を備えて構成される。【選択図】 図4
Claim (excerpt)：
亜硝酸とアンモニアを基質として嫌気的に脱窒を行なう嫌気性アンモニア酸化細菌を培養槽で培養する嫌気性アンモニア酸化細菌の培養方法において、 前記基質の供給速度をY、前記基質の供給定数をK、対数増殖期に入ってからの培養日数をT、培養運転開始時の基質濃度をAとしたときに、前記嫌気性アンモニア酸化細菌が対数増殖期に入ったときから、次式(1) Y=A×exp(K×T)...(1) を満たすように、前記培養槽へ供給する基質の供給速度Yを制御することを特徴とする嫌気性アンモニア酸化細菌の培養方法。
IPC (3)：
C12N 1/20 ,  C02F 3/00 ,  C12M 1/00
FI (3)：
C12N1/20 A ,  C02F3/00 G ,  C12M1/00 C
F-Term (12)：
4B029AA01 ,  4B029AA21 ,  4B029BB02 ,  4B029CC03 ,  4B065AA01X ,  4B065BB05 ,  4B065BB12 ,  4B065BB40 ,  4B065BC05 ,  4B065BC18 ,  4B065BC41 ,  4B065CA54
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (5)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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