炭化珪素半導体装置およびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001137061
Publication number (International publication number)：2002334998
Application date： May. 08, 2001
Publication date： Nov. 22, 2002
Summary：

【要約】【課題】逆リーク電流の低い炭化珪素半導体装置を安価に提供する。【解決手段】炭化珪素半導体は、SiC基板1と、この上面に形成されたSiCからなるドリフト層2と、このドリフト層2に接してドリフト層2の上面の一部の領域を覆うように配置され、ドリフト層2と接する界面をショットキー障壁として機能させるためのショットキー障壁電極4とを備える。ショットキー障壁電極4の外周縁部領域においては、ドリフト層2とショットキー障壁電極4との間に、ガードリングとして高抵抗ガードリング18が介在し、ショットキー障壁電極4はガードリングによって持ち上げられた形状となっている。

Claim (excerpt)：

炭化珪素半導体材料からなる基板と、前記基板の上面に形成された炭化珪素半導体材料からなるドリフト層と、前記ドリフト層に接して前記ドリフト層の上面の一部の領域を覆うように配置され、前記ドリフト層と接する界面をショットキー障壁として機能させるためのショットキー障壁電極とを備え、前記ショットキー障壁電極の外周縁部領域においては、前記ドリフト層と前記ショットキー障壁電極との間に、ガードリングを介在し、前記ショットキー障壁電極が前記ガードリングによって持ち上げられた形状となっている、炭化珪素半導体装置。

FI (3)：

H01L 29/48 D , H01L 29/48 E , H01L 29/48 F

F-Term (10)：

4M104AA03 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104CC03 , 4M104FF34 , 4M104FF35 , 4M104GG03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

炭化けい素ショットキーダイオードの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-228560 Applicant：富士電機株式会社
耐圧周縁端部構造を備えた半導体デバイス
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平8-505354 Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
特開平4-218969

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