層間絶縁膜の形成方法およびこれを用いた半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997225280
Publication number (International publication number)：1999067906
Application date： Aug. 21, 1997
Publication date： Mar. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】ベンゾシクロブテンポリマ等、低誘電率ではあるが熱伝導率の小さな絶縁体膜を層間絶縁膜に用いた高集積度半導体装置における、熱放散経路を確保する。【解決手段】密な配線間隔領域6では配線群3を被覆しうる厚さに低誘電率絶縁体膜4を形成し、疎な配線間隔領域7では低誘電率絶縁体膜4をこれより薄く形成する。疎な配線間隔領域7では低誘電率絶縁体膜4を除去し、ここに高熱伝導率絶縁体膜を形成してもよい。【効果】配線間容量低減の重要度が比較的小さい疎な配線間隔領域の低誘電率絶縁体膜の膜厚を減じたり、この部分に高熱伝導率絶縁体膜を形成することにより、良好な熱放散経路を確保することができる。

Claim (excerpt)：

疎な配線間隔領域と、密な配線間隔領域とが混在するラインアンドスペース状の配線群を有し、前記配線群を被覆する低誘電率絶縁体膜を含む層間絶縁膜を有する半導体装置であって、前記疎な配線間隔領域上の前記低誘電率絶縁体膜の膜厚は、前記密な配線間隔領域上の前記低誘電率絶縁体膜の膜厚よりも薄いことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/768 , H01L 21/316

FI (2)：

H01L 21/90 M , H01L 21/316 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開平3-211730
サブミクロン相互接続の選択的空隙充填方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-139505 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-109291 Applicant：日本電気株式会社

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