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J-GLOBAL ID：200903086934699022

半導体装置のダブルコンタクト形成方法

Inventor： 孫 振榮
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 高月 猛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998348154
Publication number (International publication number)：1999243067
Application date： Dec. 08, 1998
Publication date： Sep. 07, 1999
Summary：

【要約】【課題】 接触面積を大きくし、且つコンタクト関連欠陥を低減し得る半導体装置のダブルコンタクト形成方法を提供する。【解決手段】 半導体装置のダブルコンタクト形成方法において、ダブルコンタクト用に隣接した2つのコンタクトホールa、cの間に、これらコンタクトホールをつなぐブリッジホールbを開けるようにしたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体装置のダブルコンタクト形成方法において、ダブルコンタクト用に隣接した2つのコンタクトホールの間に、これらコンタクトホールをつなぐブリッジホールを開けるようにしたことを特徴とするダブルコンタクト形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/28 L ,  H01L 21/30 514 C ,  H01L 21/90 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体集積回路及びその層間接続方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-353597   Applicant：川崎製鉄株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-195771   Applicant：九州日本電気株式会社

Cited by examiner (2)

• 半導体集積回路及びその層間接続方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-353597   Applicant：川崎製鉄株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-195771   Applicant：九州日本電気株式会社