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J-GLOBAL ID：200903087022316870

半導体レーザ装置

Inventor：
田辺 哲弘

About 田辺 哲弘


Applicant, Patent owner：
ローム株式会社

About ローム株式会社


Agent (1)： 山田 義人 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998181791
Publication number (International publication number)：2000022262
Application date： Jun. 29, 1998
Publication date： Jan. 21, 2000
Summary：
【要約】【構成】 上部電極28と第2上部クラッド層30との間に形成された絶縁膜34が上部電極28から光導波路18aの端部へ向かう電流を阻止するため、光導波路18aの端部には電流が付与されない。したがって、この端部すなわち電流非注入領域18bではジュール熱による温度上昇はなく、その温度上昇に伴うバンドギャップの縮小も生じない。【効果】 光導波路18aの端部におけるバンドギャップの縮小を防止でき、レーザ光の吸収に伴う発熱による瞬時光損傷(COD)を防止できる。また、発光効率の低下や製造工程の複雑化を防止できる。
Claim (excerpt)：
基板の上に下部クラッド層,光導波路を有する活性層,上部クラッド層および電極を積層し、前記電極から前記上部クラッド層を通して前記活性層へ電流を付与するようにした、半導体レーザ装置において、前記電極と前記上部クラッド層との間における前記光導波路の端部に対応する位置に前記電流の流れを阻止するための絶縁膜を形成したことを特徴とする、半導体レーザ装置。
F-Term (7)：
5F073AA13 ,  5F073AA53 ,  5F073AA87 ,  5F073BA06 ,  5F073BA09 ,  5F073CA14 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 特開平2-065286
  • 特開昭63-124491
  • 特開平1-136392
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