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J-GLOBAL ID：200903053173195755

半導体レーザ

Inventor： 遠藤 健司
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995137673
Publication number (International publication number)：1996330669
Application date： Jun. 05, 1995
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】本発明の目的は、簡単な製造工程で端面近傍に電流非注入構造を形成し、高信頼な光ディスク用半導体レーザを提供することにある。【構成】活性層と、これを挟んでバンドギャップの広いクラッド層を設けた半導体レーザであり、励起領域ではこのクラッド層とキャップ層の間に両者の中間的なバンドギャップのヘテロバッファ層を設け、共振器端面近傍ではクラッド層とキャップ層が直接接した電流非注入構造を設け、端面近傍の活性層への電流注入を低減する。

Claim (excerpt)：

少なくとも活性層と、この活性層を挟んでこの活性層よりもバンドギャップの大きい第1および第2のクラッド層を有し、共振器長方向に延伸したストライプ状の励起領域が共振器端面には達しない長さに設けられ、この励起領域では、前記第1のクラッド層と前記第1のクラッド層上に形成されたこの第1のクラッド層よりもバンドギャップの小さいキャップ層との間に、この両者の中間的なバンドギャップを有する少なくとも1層のヘテロバッファ層が設けられ、前記励起領域を前記共振器長方向から挟む前記共振器端面近傍には前記少なくとも1層のヘテロバッファ層を設けないことにより前記共振器端面近傍への電流注入量を低減したことを特徴とする半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-031398   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-016258   Applicant：株式会社東芝
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-143910   Applicant：ソニー株式会社