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J-GLOBAL ID：200903087120105748

半導体発光素子

Inventor： 今野 泰一郎 ,  海野 恒弘 ,  柴田 憲治
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 高石 橘馬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001173110
Publication number (International publication number)：2002368273
Application date： Jun. 07, 2001
Publication date： Dec. 20, 2002
Summary：

【要約】【課題】 高輝度でダイシングやワイヤボンディング等による表面電極の剥離の問題がなく、順方向動作電圧が低い半導体発光素子を提供する。【解決手段】 裏面電極10が形成された第一導電型の基板1に、一対のクラッド層2,4に挟まれた活性層3からなる発光部層12と、必要に応じて電流分散層5及び/又は化合物半導体層と、金属酸化物からなる透明導電層7と、表面電極9とが形成されたもので、表面電極9は透明導電層7に形成された少なくとも1つの貫通孔11を介して下の半導体層(発光部層12、電流分散層5又は化合物半導体層)と接している半導体発光素子。

Claim (excerpt)：

裏面電極が形成された第一導電型の基板に、一対のクラッド層に挟まれた活性層からなる発光部層と、金属酸化膜からなる透明導電層と、表面電極とが形成された半導体発光素子であって、前記表面電極は前記透明導電層に形成された少なくとも1つの貫通孔を介して前記発光部層と接していることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 29/43

FI (3)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 B ,  H01L 29/46 H

F-Term (29)：

4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104BB10 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104FF02 ,  4M104FF11 ,  4M104GG04 ,  4M104HH15 ,  5F041AA03 ,  5F041AA25 ,  5F041AA41 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA73 ,  5F041CA76 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041DA02 ,  5F041DA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-344452   Applicant：日立電線株式会社
• 発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-128077   Applicant：晶元光電股ふん有限公司
• III族窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-227036   Applicant：昭和電工株式会社
• 発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-284074   Applicant：三洋電機株式会社