発光ダイオード

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：絹谷信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998344452
Publication number (International publication number)：2000174344
Application date： Dec. 03, 1998
Publication date： Jun. 23, 2000
Summary：

【要約】【課題】駆動電圧の上昇を抑え、且つ、低価格で高輝度のAlGaInPの発光ダイオードを提供する。【解決手段】 AlGaInP活性層3を、該AlGaInP活性層3よりバンドギャップエネルギーの高いAlGaInP及びAlGaAsの単層あるいは複数層からなるp型クラッド部4、5とn型クラッド部2とで挟み込み、p型クラッド部4、5側の表面にp側電極9を形成した発光ダイオードにおいて、p型クラッド部4、5の表面のうち上記p側電極9以外の面上に透明導電膜7を形成する。

Claim (excerpt)：

AlGaInP活性層を、該AlGaInP活性層よりバンドギャップエネルギーの高いAlGaInP及びAlGaAsの単層あるいは複数層からなるp型クラッド部とn型クラッド部とで挟み込み、p型クラッド部側の表面にp側電極を形成した発光ダイオードにおいて、p型クラッド部の表面のうち上記p側電極以外の面上に透明導電膜を形成したことを特徴とする発光ダイオード。

F-Term (10)：

5F041AA21 , 5F041CA04 , 5F041CA34 , 5F041CA35 , 5F041CA36 , 5F041CA65 , 5F041CA82 , 5F041CA85 , 5F041CA88 , 5F041CA92

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-033462 Applicant：昭和電工株式会社
AlGaInP系発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-216403 Applicant：信越半導体株式会社
特開平1-225178

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