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J-GLOBAL ID：200903087267789383

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
米津 宏雄

About 米津 宏雄


Applicant, Patent owner：
科学技術振興事業団

About 科学技術振興事業団


Agent (1)： 長谷川 文廣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001263610
Publication number (International publication number)：2003077840
Application date： Aug. 31, 2001
Publication date： Mar. 14, 2003
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、半導体装置に関し、シリコン単結晶基板上に完全に転位をなくした(無欠陥の)III -V族化合物半導体層、更にはシリコン層を形成することを目的とする。【解決手段】 シリコン単結晶基板1と、シリコン単結晶基板1上にその臨界膜厚以下の厚さに形成されたGaPバッファ層2と、GaPバッファ層2上に形成されシリコン単結晶に実質的に格子整合するように窒素を添加したIII -V族化合物半導体からなる複数の半導体層3とを有する。更には、複数の半導体層3の上にシリコン表面層を有する。
Claim (excerpt)：
シリコン単結晶基板と、前記シリコン単結晶基板上に、その臨界膜厚以下の厚さに形成されたGaPバッファ層と、前記GaPバッファ層上に形成され、シリコン単結晶に実質的に格子整合するように窒素を添加したIII -V族化合物半導体からなる複数の半導体層とを有する ことを特徴とする半導体装置。
IPC (8)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610
FI (6)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/40 502 H ,  H01L 21/203 M ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610 ,  H01L 29/80 H
F-Term (56)：
4G077AA03 ,  4G077BE44 ,  4G077BE46 ,  4G077DA05 ,  4G077EA02 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  4G077EF03 ,  4G077SC02 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA66 ,  5F041CA67 ,  5F045AA05 ,  5F045AB11 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AD08 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045BB12 ,  5F045CA02 ,  5F045CA07 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA69 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB04 ,  5F073CB07 ,  5F073DA06 ,  5F073DA07 ,  5F073EA29 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01 ,  5F103AA04 ,  5F103BB41 ,  5F103DD01 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103LL03 ,  5F103LL09 ,  5F103NN01 ,  5F103RR06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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