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J-GLOBAL ID:200903087283650417

半導体チップの製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 安富 康男 ,  諸田 勝保
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006136872
Publication number (International publication number):2007311422
Application date: May. 16, 2006
Publication date: Nov. 29, 2007
Summary:
【課題】2mm×2mm以下の大きさの半導体チップであっても確実にピックアップすることができる半導体チップの製造方法を提供する。【解決手段】片面に回路が形成されたウエハの前記回路が形成された面上に、刺激を与えることにより凸型又は凹型に変形する表面保護テープを貼着する表面保護テープ貼着工程と、前記ウエハの前記回路が形成された面と反対側の面上に、刺激を与えることにより粘着力が低下する粘着剤層を有するダイシングテープを貼付するダイシングテープ貼付工程と、前記ダイシングテープが貼付されたウエハをダイシングして、個々の半導体チップに分割するダイシング工程と、前記分割された個々の半導体チップに貼付された前記ダイシングテープに刺激を与えて前記ダイシングテープの粘着剤層の粘着力を低下させる粘着力低下工程と、前記分割された個々の半導体チップに貼付された前記表面保護テープに刺激を与えて凸型又は凹型に変形させるテープ変形工程とを有する半導体チップの製造方法。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
片面に回路が形成されたウエハの前記回路が形成された面上に、刺激を与えることにより凸型又は凹型に変形する表面保護テープを貼着する表面保護テープ貼着工程と、 前記ウエハの前記回路が形成された面と反対側の面上に、刺激を与えることにより粘着力が低下する粘着剤層を有するダイシングテープを貼付するダイシングテープ貼付工程と、 前記ダイシングテープが貼付されたウエハをダイシングして、個々の半導体チップに分割するダイシング工程と、 前記分割された個々の半導体チップに貼付された前記ダイシングテープに刺激を与えて前記ダイシングテープの粘着剤層の粘着力を低下させる粘着力低下工程と、 前記分割された個々の半導体チップに貼付された前記表面保護テープに刺激を与えて凸型又は凹型に変形させるテープ変形工程とを有する ことを特徴とする半導体チップの製造方法。
IPC (1):
H01L 21/301
FI (2):
H01L21/78 Q ,  H01L21/78 P
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)

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