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J-GLOBAL ID:200903010627860995

プラズマ発生装置及びこのプラズマ発生装置を用いたプラズマ処理装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994076717
Publication number (International publication number):1995226383
Application date: Mar. 23, 1994
Publication date: Aug. 22, 1995
Summary:
【要約】【目的】大型の基板である液晶ディスプレイ基板や、半導体ウエハにおいて、プラズマによる成膜を行なうプラズマ成膜装置を提供する。【構成】複数コイルからなる第2の電極25を、石英窓22を介して、被処理基板1の被処理面に対向配置し、処理室11の真空度と前記第2の電極25の設けられた気密室23の真空度とを、差圧コントローラ26により制御する。
Claim (excerpt):
気密な処理室内に設けられた第1の電極と、この第1の電極と絶縁に設けられた複数のコイルからなる第2の電極と、前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に高周波を印加し、プラズマを生成する少なくとも1つの高周波電源と、前記複数のコイルに供給される高周波の各位相を、異なる位相に設定することが可能な位相設定手段とを具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3):
H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-270105   Applicant:株式会社神戸製鋼所
  • プラズマ装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-013981   Applicant:東京エレクトロン株式会社
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-092511   Applicant:東京エレクトロン株式会社
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