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J-GLOBAL ID：200903087386377069

半導体素子及びその製造方法

Inventor：
横田 嘉宏

About 横田 嘉宏

, 
川上 信之

About 川上 信之


Applicant, Patent owner：
株式会社神戸製鋼所

About 株式会社神戸製鋼所


Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000243263
Publication number (International publication number)：2002057167
Application date： Aug. 10, 2000
Publication date： Feb. 22, 2002
Summary：
【要約】【課題】 ゲート絶縁膜とチャネル及びその界面の欠陥がなく、高品質・高性能な半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁性の高圧合成ダイヤモンド単結晶基板1上に、高濃度Bドープ半導体ダイヤモンド層を形成し、反応性イオンエッチングにより、ソース及びドレイン領域となる半導体ダイヤモンド層2a及び2bを形成する。更に、半導体ダイヤモンド2a、2b上を部分的に覆うマスク5aを形成した後、マイクロ波プラズマCVD法により全面に低濃度Bドープp形半導体ダイヤモンド薄膜を、例えば0.1μmの厚さに合成する。そして、マスク5a上に形成されたダイヤモンド薄膜と共にマスク5aを除去し、チャネル層となる半導体ダイヤモンド薄膜層6を形成する。その後、半導体ダイヤモンド層2a及び2b上に電極7、8を形成する。
Claim (excerpt)：
基板と、この基板上に局所的に形成された第1及び第2の半導体領域と、前記第1及び第2の半導体領域上に直接形成され前記第1及び第2の半導体領域より不純物濃度が低い第3の半導体領域と、を有し、前記第1の半導体領域と前記第2の半導体領域との間を移動する電荷が前記第3の半導体領域を経由するものであることを特徴とする半導体素子。
IPC (6)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/861 ,  H01L 33/00
FI (7)：
H01L 33/00 A ,  H01L 29/80 B ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 616 S ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/91 F
F-Term (47)：
5F040DA01 ,  5F040DA20 ,  5F040DA21 ,  5F040DC01 ,  5F040ED03 ,  5F040ED04 ,  5F040EE04 ,  5F040EH02 ,  5F040FC09 ,  5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA64 ,  5F041CA74 ,  5F041CA83 ,  5F041CA85 ,  5F102FA01 ,  5F102GA14 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL02 ,  5F102GM02 ,  5F102GT02 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC15 ,  5F110AA07 ,  5F110AA13 ,  5F110AA14 ,  5F110BB03 ,  5F110CC01 ,  5F110DD04 ,  5F110EE03 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG01 ,  5F110GG32 ,  5F110GG45 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK08 ,  5F110HK25 ,  5F110HK35
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 特開平3-094429
  • 特開平1-259555
  • 電界効果型トランジスタ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-180899   Applicant：住友電気工業株式会社
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