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J-GLOBAL ID：200903087411071735

マイクロプラズマデポジション方法及び装置

Inventor： 清水 禎樹 ,  佐々木 毅 ,  チャンドラ ボス アルムガム ,  寺嶋 和夫 ,  越崎 直人
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005090678
Publication number (International publication number)：2006274290
Application date： Mar. 28, 2005
Publication date： Oct. 12, 2006
Summary：

【課題】マイクロプラズマ中に極微量の溶液原料を効率的に霧化・供給させるシステム及びその溶液原料からマイクロプラズマを利用してCVD法、PCVD法溶射法、蒸着法等により、基板上に反応生成物や材料等をデポジション又は堆積させるための技術を提供する。【解決手段】マイクロプラズマガス供給ラインの上流又は途中において、同ラインとほぼ直交するように液体を供給し、該液体をマイクロプラズマにより反応、分解又は霧化させ、マイクロプラズマ下流に設置した基体上に反応生成物又は微粒子をデポジットさせることを特徴とするマイクロプラズマデポジション方法。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

マイクロプラズマガス供給ラインの上流又は途中において、同ラインとほぼ直交するように液体を供給し、該液体をマイクロプラズマにより反応、分解又は霧化させ、マイクロプラズマ下流に設置した基体上に反応生成物又は微粒子をデポジットさせることを特徴とするマイクロプラズマデポジション方法。

IPC (4)：

C23C 16/511 ,  C23C 4/12 ,  C23C 16/448 ,  H05H 1/42

FI (4)：

C23C16/511 ,  C23C4/12 ,  C23C16/448 ,  H05H1/42

F-Term (11)：

4K030AA09 ,  4K030BA27 ,  4K030CA02 ,  4K030EA01 ,  4K030FA01 ,  4K030LA11 ,  4K031AA01 ,  4K031AB02 ,  4K031CB08 ,  4K031DA04 ,  4K031DA05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• マイクロプラズマCVD装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-137956   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• カーボンナノチューブを備えた金属ワイヤー又はキャピラリー及びカーボンナノチューブの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-274612   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所