半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：北野好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997264410
Publication number (International publication number)：1999103050
Application date： Sep. 29, 1997
Publication date： Apr. 13, 1999
Summary：

【要約】【課題】 MIS型の半導体装置の製造方法に関し、信頼性が高く、電気的特性の安定した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板10上に絶縁膜12を形成する絶縁膜形成工程と、絶縁膜12上に半導体層14を形成する半導体層形成工程と、半導体層14に水素を含む不純物を導入する不純物導入工程とを有する半導体装置の製造方法であって、少なくとも絶縁膜12にフッ素を導入するフッ素導入工程を有している。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層に水素を含む不純物を導入する不純物導入工程とを有する半導体装置の製造方法であって、少なくとも前記絶縁膜にフッ素を導入するフッ素導入工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平4-062974
半導体装置作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-156514 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
性能が改良された誘電体を形成する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-275125 Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド

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