半導体基板およびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000252881
Publication number (International publication number)：2001144276
Application date： Aug. 23, 2000
Publication date： May. 25, 2001
Summary：

【要約】【課題】コストの上昇や、信頼性の低下を招かずにSOI構造を形成すること。【解決手段】シリコン基板1の表面に複数の溝4を2次元的に配列形成した後、シリコン基板1に熱処理を施すことによって、複数の溝4を1つの平板状の空洞5に変える。

Claim (excerpt)：

内部に平板状の空洞が設けられていることを特徴とする半導体基板。

IPC (16)：

H01L 27/12 , G02B 6/122 , G02B 6/12 , H01L 21/762 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 27/08 331 , H01L 27/08 , H01L 27/10 461 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 29/84

FI (22)：

H01L 27/12 Z , H01L 27/12 F , H01L 27/12 L , H01L 27/08 331 E , H01L 27/08 331 A , H01L 27/10 461 , H01L 29/84 B , G02B 6/12 B , G02B 6/12 N , G02B 6/12 Z , H01L 21/76 D , H01L 27/04 C , H01L 27/04 L , H01L 27/08 321 K , H01L 27/08 321 A , H01L 27/10 681 D , H01L 29/78 616 A , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 618 E , H01L 29/78 621 , H01L 29/78 626 C , H01L 29/78 627 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平1-128442
特開平4-304653
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-135037 Applicant：株式会社東芝

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