不揮発性半導体記憶装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000372309
Publication number (International publication number)：2001229686
Application date： Dec. 07, 2000
Publication date： Aug. 24, 2001
Summary：

【要約】【課題】温度変動や製造プロセス条件の変動があっても正確かつ高速のリード動作を保証できるフラッシュメモリを提供する。【解決手段】浮遊ゲートを有するメモリセルトランジスタ10の記憶データをリードするために、シングルゲート型のリファレンストランジスタ20と、差動センスアンプ30と、リファレンストランジスタ20のゲート電圧を生成するためのゲート電圧発生回路40とを設ける。ゲート電圧発生回路40は、メモリセルトランジスタ10と同じ構造を持ちかつ予めオン状態に設定されたダミーセルトランジスタ50と、このダミーセルトランジスタ50のドレイン電流に比例した電流を生成するためのカレントミラー60と、このカレントミラー60により生成された電流に基づいてリファレンストランジスタ20のゲート電圧を生成するためのNMOSトランジスタ70と、生成されたゲート電圧を保持するための電圧保持回路80とを持つ。

Claim (excerpt)：

電気的にイレーズ可能かつプログラム可能な不揮発性半導体記憶装置であって、制御ゲートと、浮遊ゲートと、ドレインと、ソースとを有し、かつ前記浮遊ゲートに電荷を蓄えたオフ状態と、前記浮遊ゲートから電荷が除去されたオン状態とのいずれかの状態を取り得るメモリセルトランジスタと、MOS構造を持つリファレンストランジスタと、リードサイクルにおける前記リファレンストランジスタのゲート電圧を生成するためのゲート電圧発生回路と、前記メモリセルトランジスタのドレインに接続されたビット線と、前記リファレンストランジスタのドレインに接続されたリファレンス線と、前記メモリセルトランジスタのドレイン電流に応じて決まる前記ビット線の電圧と、前記リファレンストランジスタのドレイン電流に応じて決まる前記リファレンス線の電圧とを比較することにより、前記メモリセルトランジスタの状態をセンスするための差動センスアンプとを備え、前記ゲート電圧発生回路は、前記メモリセルトランジスタと同じく制御ゲートと、浮遊ゲートと、ドレインと、ソースとを有するダミーセルトランジスタと、前記ダミーセルトランジスタのドレイン電流に比例した電流を生成するためのカレントミラーと、前記カレントミラーにより生成された電流に基づいて前記リファレンストランジスタのゲート電圧を生成するためのトランジスタ手段とを備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (6)：

G11C 16/06 , H01L 21/8247 , H01L 27/115 , H01L 27/10 481 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4)：

H01L 27/10 481 , G11C 17/00 634 E , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

F-Term (20)：

5B025AA02 , 5B025AD06 , 5B025AD07 , 5B025AE05 , 5B025AE08 , 5B025AE09 , 5F001AA01 , 5F001AB03 , 5F001AB08 , 5F001AD12 , 5F001AG40 , 5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083EP24 , 5F083LA03 , 5F083LA10 , 5F083PR42 , 5F083PR52 , 5F083ZA12 , 5F083ZA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

基準回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-297040 Applicant：エスジーエス-トムソンマイクロエレクトロニクスリミテッド
半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-137148 Applicant：日本電気株式会社

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