半導体ウエハ処理装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：赤野牧子 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994215299
Publication number (International publication number)：1996064582
Application date： Aug. 17, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】半導体ウエハ処理用のロックロード室での圧力変動に長時間を要することなくウエハ汚染を防止する半導体ウエハ処理装置の提供。【構成】半導体ウエハ処理室と少なくとも1の予備室とが開閉可能な隔壁を有する連結部により気密に連結されてなり、且つ、該予備室が開閉可能な隔壁により外部と気密に隔離されてなると共に、該予備室には少なくともガス排出手段及びガス導入手段が配備されており、該ガス導入手段が該予備室の内部空間に伸延された少なくとも1のガス流出口を有し、該ガス流出口には平均細孔径0.5μm以下のセラミック層を有するセラミック製ブレイクフィルタが配置されてなることを特徴とする半導体ウエハ処理装置。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハ処理室と少なくとも1の予備室とが開閉可能な隔壁を有する連結部により気密に連結されてなり、且つ、該予備室が開閉可能な隔壁により外部と気密に隔離されてなると共に、該予備室には少なくともガス排出手段及びガス導入手段が配備されており、該ガス導入手段が該予備室の内部空間に伸延された少なくとも1のガス流出口を有し、該ガス流出口には平均細孔径0.5μm以下のセラミック層を有するセラミック製ブレイクフィルタが配置されてなることを特徴とする半導体ウエハ処理装置。

IPC (2)：

H01L 21/3065 , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平2-184333
特開平4-041673
真空装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-356293 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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