半導体装置および積層膜の形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高山宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004021924
Publication number (International publication number)：2005217176
Application date： Jan. 29, 2004
Publication date： Aug. 11, 2005
Summary：

【課題】ゲート電極の低抵抗化とFによるゲート絶縁膜の劣化の解消とを実現しつつ、ゲート電極材料の仕事関数を制御することによりしきい値電圧を制御可能な半導体装置を提供すること。【解決手段】 Si基板1上にゲート酸化膜2を介して形成されたゲート電極3は、W(CO)6ガスとSiを含有するガスおよびNを含有するガスのうち少なくとも1種とを用いたCVDにより形成されたWとSiおよびNのうち少なくとも1種とを含むW化合物膜3aを有し、W化合物膜3aのSi,Nの含有量によってW化合物膜3aの仕事関数が制御される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極を有する半導体装置であって、前記ゲート電極は、金属カルボニルを含有する原料とSiを含有する原料およびNを含有する原料のうち少なくとも1種とを用いたCVDにより形成され、前記金属カルボニル中の金属とSiおよびNのうち少なくとも1種とを含む金属化合物膜を有し、前記金属化合物膜のSi,Nの含有量によって前記金属化合物膜の仕事関数が制御されることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L21/285 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78

FI (5)：

H01L21/285 C , H01L21/285 301 , H01L21/28 301R , H01L29/78 301G , H01L29/58 G

F-Term (38)：

4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB39 , 4M104CC05 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 4M104DD63 , 4M104FF18 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH05 , 4M104HH16 , 4M104HH20 , 5F140AA01 , 5F140AA06 , 5F140BA01 , 5F140BF01 , 5F140BF03 , 5F140BF05 , 5F140BF08 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF14 , 5F140BF18 , 5F140BF20 , 5F140BF21 , 5F140BF24 , 5F140BF38 , 5F140BG28 , 5F140BK13 , 5F140CE10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

ゲート電極の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-025220 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-105000 Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (3)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-344226 Applicant：株式会社東芝
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-105000 Applicant：ソニー株式会社
拡散障壁体を備えた高温度工程に耐えることができる熱的に安定な接触体の製造法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-242061 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

Return to Previous Page