Pat
J-GLOBAL ID:200903087865458707

過共晶Al-Si系合金ダイカスト部材及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小倉 亘
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998031548
Publication number (International publication number):1999226723
Application date: Feb. 13, 1998
Publication date: Aug. 24, 1999
Summary:
【要約】【目的】 初晶Siの晶出・成長をダイカストスリーブ内で促進させ、耐摩耗性に優れた過共晶Al-Si合金ダイカスト部材を得る。【構成】 14〜17重量%のSiを含有するアルミニウム合金溶湯をダイカストスリーブに注湯し、次いでダイカストスリーブ内でアルミニウム合金溶湯を初晶Si晶出温度と共晶温度との間の温度範囲で2〜5秒保持して初晶Siを晶出・成長させた後、アルミニウム合金溶湯を射出成形し、鋳造組織に晶出した初晶Siの平均粒径を7〜15μmの範囲に調整する。ダイカストスリーブに対するアルミニウム合金溶湯の充填率は、20〜40体積%の範囲に維持することが好ましい。使用するアルミニウム合金は、更に0.001〜0.02重量%のPを含むことができる。
Claim (excerpt):
14〜17重量%のSiを含有するアルミニウム合金溶湯をダイカストスリーブに注湯し、次いでダイカストスリーブ内でアルミニウム合金溶湯を初晶Si晶出温度と共晶温度との間の温度範囲で2〜5秒保持して初晶Siを晶出・成長させた後、アルミニウム合金溶湯を射出成形することにより鋳造組織に晶出した初晶Siの平均粒径を7〜15μmの範囲に調整することを特徴とする過共晶Al-Si合金ダイカスト部材の製造方法。
IPC (4):
B22D 21/04 ,  B22D 17/00 ,  C22C 1/02 503 ,  C22C 21/02
FI (4):
B22D 21/04 A ,  B22D 17/00 Z ,  C22C 1/02 503 J ,  C22C 21/02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page