磁気ランダムアクセスメモリ回路

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山下穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999124765
Publication number (International publication number)：2000315382
Application date： Apr. 30, 1999
Publication date： Nov. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】ウエハー上での場所に依存する記憶セルの特性のばらつきに特性が依存しないMRAM回路を提供する。【解決手段】アドレスの一部をデコードする行デコーダと、アドレスの残りの部分をデコードする列デコーダと、行デコーダのデコード端子に接続される複数のセンス線と、列デコーダのデコード端子に接続される複数のワード線と、複数の記憶セルと、複数の参照セルと、を備え、記憶セルと参照セルは磁気抵抗素子を備え、複数のセンス線と複数のワード線はマトリックス状に交差し、複数のセンス線と複数のワード線の交点のうち、一部のセンス線に係る交点において複数の記憶セルが交点のセンス線とワード線に接続され、他のセンス線に係る交点において複数の参照セルが交点のセンス線とワード線に接続される。

Claim (excerpt)：

アドレスの一部をデコードする行デコーダと、前記アドレスの残りの部分をデコードする列デコーダと、前記行デコーダのデコード端子に接続される複数のセンス線と、前記列デコーダのデコード端子に接続される複数のワード線と、複数の記憶セルと、複数の参照セルと、を備え、前記記憶セルと前記参照セルは磁気抵抗素子を備え、前記複数のセンス線と前記複数のワード線はマトリックス状に交差し、前記複数のセンス線と前記複数のワード線の交点のうち、一部のセンス線に係る交点において前記複数の記憶セルが交点のセンス線とワード線に接続され、他のセンス線に係る交点において前記複数の参照セルが交点のセンス線とワード線に接続されることを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ回路。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-191380 Applicant：株式会社東芝
磁気抵抗記憶素子、アレイおよび装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-022669 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
巨大磁気抵抗効果によるメモリセルおよび並列型ランダムアクセスメモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-195490 Applicant：島根大学長

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