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J-GLOBAL ID：200903087991193638

薄膜トランジスタ

Inventor：
竹延 大志

About 竹延 大志

, 
岩佐 義宏

About 岩佐 義宏


Applicant, Patent owner：
独立行政法人科学技術振興機構

About 独立行政法人科学技術振興機構


Agent (1)： 清水 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003386114
Publication number (International publication number)：2005150410
Application date： Nov. 17, 2003
Publication date： Jun. 09, 2005
Summary：
【課題】 易動度が高く、大気中で安定であり、しかもキャリア量の調整が容易であるカーボンナノチューブとそれに組み合わされる材料からなる薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】 ゲート電極1と、このゲート電極1に積層されるゲート絶縁膜2と、このゲート絶縁膜2の部位に積層されるソース電極3とドレイン電極4と、このソース電極3とドレイン電極4間に形成される半導体膜5とを備える薄膜トランジスタであって、前記半導体膜5はカーボンナノチューブとこのカーボンナノチューブと組み合わされる材料からなる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
(a)ゲート電極と、 (b)該ゲート電極に積層されるゲート絶縁膜と、 (c)該ゲート絶縁膜の部位に積層されるソース電極とドレイン電極と、 (d)該ソース電極とドレイン電極間に形成される半導体膜とを備える薄膜トランジスタであって、 (e)前記半導体膜はカーボンナノチューブと該カーボンナノチューブと組み合わされる材料からなることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (3)：
H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L51/00
FI (5)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/28
F-Term (11)：
5F110AA01 ,  5F110AA14 ,  5F110BB04 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110GG01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG07 ,  5F110GG42 ,  5F110QQ06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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