Pat

J-GLOBAL ID：200903088075839820

めっき方法及びめっき装置

Inventor： 栗山 文夫
Applicant, Patent owner： 株式会社荏原製作所
Agent (1)： 渡邉 勇 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001291835
Publication number (International publication number)：2003096596
Application date： Sep. 25, 2001
Publication date： Apr. 03, 2003
Summary：

【要約】【課題】 例えアスペスト比が大きく、深さがかなり深いホール等の内部であっても、銅等のめっき材料を、ボイド等を生じさせることなく、確実に埋込むことができるようにする。【解決手段】 めっき液に接触させて基板の表面にめっき膜を形成するめっき処理と、めっき後の基板をエッチング液に接触させて基板の表面に形成しためっき膜の一部をエッチングするエッチング処理を行い、エッチング処理後に再度めっき処理を行うことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

めっき液に接触させて基板の表面にめっき膜を形成するめっき処理と、めっき後の基板をエッチング液に接触させて基板の表面に形成しためっき膜の一部をエッチングするエッチング処理を行い、エッチング処理後に再度めっき処理を行うことを特徴とするめっき方法。

IPC (6)：

C25D 7/12 ,  C25D 5/34 ,  C25D 17/00 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/768

FI (6)：

C25D 7/12 ,  C25D 5/34 ,  C25D 17/00 B ,  H01L 21/288 M ,  H01L 21/306 F ,  H01L 21/90 A

F-Term (23)：

4K024AA09 ,  4K024BB12 ,  4K024DA07 ,  4K024GA16 ,  4M104BB04 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104HH13 ,  5F033JJ11 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ20 ,  5F033QQ48 ,  5F033XX02 ,  5F043AA26 ,  5F043BB18 ,  5F043DD30 ,  5F043FF10 ,  5F043GG03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 銅めっき方法およびその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-016089   Applicant：株式会社荏原製作所, 株式会社東芝
• メッキ膜の形成方法及び形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-227111   Applicant：株式会社東芝
• 銅酸化膜の形成方法、銅膜のエッチング方法、半導体装置の製造方法、半導体製造装置及び半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-015653   Applicant：株式会社東芝