Pat
J-GLOBAL ID:200903088129289635
半導体集積回路の故障解析装置および方法
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
岩佐 義幸
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994000672
Publication number (International publication number):1995209387
Application date: Jan. 10, 1994
Publication date: Aug. 11, 1995
Summary:
【要約】【目的】 半導体集積回路の電位故障像を実時間で得ることにより故障解析時間を短縮する。【構成】 良品あるいは良品条件の電位像と、不良品あるいは不良条件の電位像とを、時間的に交互に出しぱなしにしておく。こうすることによりLSIの全面どの場所もリアルタイムに画像を得ることができる。いわば両方の像が時間をずらして重ね描きされた様になり、良品像,不良品像において違いのない場所と違いのある場所では異なって見えることになり、この異なった場所をリアルタイムに追跡することができる。
Claim (excerpt):
電子ビームを半導体集積回路に照射して得られる2次電子を検出した量から形成した電位分布像を用い、半導体集積回路の故障回路部分を特定する半導体集積回路の故障解析装置において、繰り返して半導体集積回路に入力する一連のテストパターンの中から電位分布像を取得するために指定したテストパターンを半導体集積回路に入力している時間を他のテストパターン入力時間よりも長くして電位分布像を取得する手段と、半導体集積回路に対して良品条件と不良品条件の設定を交互に行う手段と、を備えることを特徴とする半導体集積回路の故障解析装置。
IPC (2):
Patent cited by the Patent: