抵抗変化機能体およびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (3)：青山葆 , 河宮治 , 山崎宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003074113
Publication number (International publication number)：2004281913
Application date： Mar. 18, 2003
Publication date： Oct. 07, 2004
Summary：

【課題】電圧印加前後で電気抵抗が変化する抵抗変化機能体を提供する。【解決手段】絶縁体4は、シリコン酸化膜等でなり、シリコン基板等の第2電極3の表面に形成される。そして、微粒子5は金等でなり、絶縁体4中に負イオン注入法によって複数導入される。第1電極2はAl等でなる。上記構成において、第1,第2電極2,3間に電圧Vを印加して、第1電極2に流れる電流Iを測定すると、電圧を連続的に上昇させると略比例的に電流が増加する一方、連続的に低下させると階段状に急激に電流値が減少し、ヒステリシスを呈する。すなわち、第1,第2電極2,3間に印加される電圧によって、第1,第2電極2,3間の電気抵抗を制御することができるのである。また、上記ヒステリシスを利用して抵抗の変化を読み出すことで2値データを判別でき、メモリ機能体として用いることも可能である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1電極と第2電極との間に挟まれた絶縁体と、上記絶縁体中に配置されると共に、上記第1電極と第2電極との間の電気抵抗をサイズ効果あるいはサイズ変化に基づいて変化させる金あるいは金よりも熱拡散係数の小さい金属から成る複数の導電性微粒子を備えたことを特徴とする抵抗変化機能体。

IPC (6)：

H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/10 , H01L29/06 , H01L29/66 , H01L49/02

FI (5)：

H01L27/04 P , H01L27/10 451 , H01L29/06 601N , H01L29/66 S , H01L49/02

F-Term (11)：

5F038AR07 , 5F038EZ13 , 5F038EZ17 , 5F038EZ20 , 5F083FZ10 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083PR18 , 5F083PR33 , 5F083PR36 , 5F083PR37

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

単一電子トンネル素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-158695 Applicant：松下電器産業株式会社
単一電子装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-159281 Applicant：富士通株式会社
負イオン注入装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-052495 Applicant：日新電機株式会社

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