フォトリソグラフィレチクルをエッチングする方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：長谷川芳樹 , 山田行一 , 鈴木康仁
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003136222
Publication number (International publication number)：2004038154
Application date： May. 14, 2003
Publication date： Feb. 05, 2004
Summary：

基板例えばフォトリソグラフィレチクル上に配置される光学的に透明な層にエッチングするための方法及び装置が提供される。1つの態様において、基板をエッチングする方法は、処理チャンバ内の支持部材上にレチクルを配置するステップであり、レチクルは、光学的に透明な材料上に配置された減衰材料層、前記減衰材料層上に形成されパターン化された金属フォトマスク、及び前記パターン化され金属フォトマスク上に堆積されたパターン化されたレジスト材料を含む、レチクルを配置するステップと、1つ以上のフッ素含有重合材料及び1つ以上の塩素含有ガスを処理チャンバ内に導入するステップと、RF電力をコイルに適用しバイアス電力を支持部材に適用することによってプラズマを発生させるために、電力を処理チャンバに供給するステップと、露出した減衰材料層の部分をエッチングするステップと、を含む。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

フォトリソグラフィのレチクルを処理する方法であって、処理チャンバ内の支持部材上にレチクルを配置するステップであり、レチクルは、光学的に透明な材料上に配置された減衰材料層、前記減衰材料層上に形成されパターン化された金属フォトマスク、及び前記パターン化され金属フォトマスク上に堆積されたパターン化されたレジスト材料を含む、レチクルを配置するステップと、 1つ以上のフッ素を含有する重合材料及び1つ以上の塩素を含有するガスを処理チャンバ内に導入するステップと、 RF電力をコイルに適用しバイアス電力を支持部材に適用することによってプラズマを発生させるために、電力を処理チャンバに供給するステップと、露出した減衰材料層の部分をエッチングするステップと、を含む、方法。

IPC (3)：

G03F1/08 , H01L21/027 , H01L21/3065

FI (4)：

G03F1/08 Z , G03F1/08 A , H01L21/30 502P , H01L21/302 104C

F-Term (20)：

2H095BB03 , 2H095BB17 , 2H095BC04 , 2H095BC24 , 5F004BA20 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004CA04 , 5F004DA00 , 5F004DA04 , 5F004DA11 , 5F004DA13 , 5F004DA15 , 5F004DA16 , 5F004DA18 , 5F004DA29 , 5F004DB00 , 5F004DB08 , 5F004DB18 , 5F004EB07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

ハーフトーンマスクの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-244265 Applicant：シャープ株式会社
ハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-173199 Applicant：大日本印刷株式会社
ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法およびハーフトーン型位相シフトマスクのブランク
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-138832 Applicant：凸版印刷株式会社

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