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J-GLOBAL ID：200903088186300408
拡散ウェーハの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995259455
Publication number (International publication number)：1997082670
Application date： Sep. 13, 1995
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：
【要約】【目的】 拡散層の厚さxj の測定精度を向上させ、非拡散層の研磨代を正確に指定することによって、非拡散層の厚さxi の精度を向上させた拡散ウェーハの製造方法を提供する。【構成】 シリコンウェーハ1の両面に不純物の拡散層1aを形成させ、一側の面の拡散層を研削、除去した後、ウェーハの厚さTb を測定する。従来から用いられている2探針によるSR法より測定精度の高いFT-IRを用いて非拡散層1bの厚さxiaを測定し、この厚さxiaをSR法で測定した場合の非拡散層の厚さxibに換算する。そして、前記ウェーハの厚さTb から非拡散層の厚さxibを減じて他側の面の拡散層の厚さxjbを求める。更に、前記ウェーハの厚さTb から拡散層の厚さxjbと非拡散層の厚さの規格値xi との和を減じた厚さを研磨して仕上げる。
Claim (excerpt)：
シリコンウェーハの両面に不純物の拡散層を形成させ、一側の面の高濃度拡散層を研削して除去することによって露出する非拡散層の表面を鏡面研磨して仕上げる拡散ウェーハの製造において、前記研削後のウェーハの厚さTb を測定するとともにフーリエ変換赤外分光光度計を用いて前記非拡散層の厚さxiaを測定し、この厚さxiaをSR法で測定した場合の非拡散層の厚さxibに換算した上、前記ウェーハの厚さTb から非拡散層の厚さxibを減じることによって他側の面の拡散層の厚さxj を求め、更に前記ウェーハの厚さTb から高濃度拡散層の厚さxj と非拡散層の厚さの規格値xi との和を減じた厚さを研磨して仕上げることを特徴とする拡散ウェーハの製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/66
H01L 21/304 321 S
, H01L 21/66 P
Cited by examiner (5)
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