Pat
J-GLOBAL ID：200903088252850520
先進材料処理応用のためのピコ秒-ナノ秒パルス用高エネルギ光ファイバ増幅器
Inventor：
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,
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大川 宏
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006524863
Publication number (International publication number)：2007516600
Application date： Aug. 27, 2004
Publication date： Jun. 21, 2007
Summary：
高エネルギピコ秒、ナノ秒パルス用ファイバベース光源が記載される。ファイバ増幅器での非線形エネルギ制限を最小化することで、光ファイバの損傷閾値に近いパルスエネルギが発生され得る。少なくとも一つの非線形ファイバ増幅器を含む増幅器チェーンと共に最適化されたシード光源を実施することは、バンド幅制限近い高エネルギピコ秒パルスの発生を可能にする。高エネルギパルス化されるファイバ増幅器の最適化シード光源は、半導体レーザも伸長モードロックファイバレーザも含む。ファイバ増幅器から得られるパルスエネルギの最大化は、さらに高繰り返し周期で高エネルギ紫外、赤外パルスの発生を可能にする。
Claim (excerpt)：
20ピコ秒と20ナノ秒の間のパルス幅と10マイクロジュール以上の
パルスエネルギとを持つパルスを1kHz以上の繰り返し周期で発生するパルス光源であって、該パルス光源は、
シードパルスを作るシード光源と、
前記シード光源から前記シードパルスを受けて1マイクロジュール以上のパルスエネルギを持つパルスを作るファイバ増幅器チェーンと、
少なくとも一つのバルク光学素子と、を有し、
前記ファイバ増幅器チェーンは、少なくとも一つのコア径が12マイクロメートル以上の大コア径クラッドポンプ偏光保持ファイバ増幅器を備え、
前記バルク光学素子は、前記ファイバ増幅器チェーンで作られた前記パルスを周波数変換する。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (17)：
5F172AE03
, 5F172AE09
, 5F172AE12
, 5F172AF02
, 5F172AF03
, 5F172AF05
, 5F172AF06
, 5F172AM08
, 5F172DD04
, 5F172NN06
, 5F172NN14
, 5F172NN16
, 5F172NN23
, 5F172NN26
, 5F172NQ08
, 5F172NR14
, 5F172NR22
Cited by examiner (6)
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