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J-GLOBAL ID：200903088293665419

トランジスタ及びそれを用いた表示装置

Inventor：
山原 基裕

About 山原 基裕

, 
水崎 真伸

About 水崎 真伸


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 奥田 誠司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001282615
Publication number (International publication number)：2003092407
Application date： Sep. 18, 2001
Publication date： Mar. 28, 2003
Summary：
【要約】【課題】 導電性高分子を用いたトランジスタの特性および/または信頼性を改善する。【解決手段】 第1電極4と、第2電極5と、第1電極4と第2電極5との間に設けられた半導体層6と、半導体層6に電界を印加するための第3電極2とを備える。半導体層6は、超分岐高分子を含み、且つ、超分岐高分子を介した非共有結合的相互作用による自己組織化構造を有する。
Claim (excerpt)：
第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた半導体層と、前記半導体層に電界を印加するための第3電極とを備え、前記半導体層は、超分岐高分子を含み、且つ、前記超分岐高分子を介した非共有結合的相互作用による自己組織化構造を有する、トランジスタ。
IPC (5)：
H01L 29/786 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 330 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 51/00
FI (5)：
G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 330 Z ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/28
F-Term (51)：
2H092JA23 ,  2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092KA09 ,  2H092MA02 ,  2H092NA27 ,  5C094AA15 ,  5C094AA31 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094EB05 ,  5C094FB14 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF22 ,  5F110GG05 ,  5F110GG19 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (7)
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