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J-GLOBAL ID：200903088296152935

半導体装置の製造方法

Inventor：
福元 嘉彦

About 福元 嘉彦


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997324718
Publication number (International publication number)：1998214803
Application date： Nov. 26, 1997
Publication date： Aug. 11, 1998
Summary：
【要約】【課題】 導電性材料膜の研磨後にスクラッチを発生させず、高清浄度で安定して洗浄することが困難。【解決手段】 基体上に導電性材料を成膜する工程と、該導電性材料膜を研磨する工程と、前記導電性材料膜の研磨された面を洗浄する工程と、を有する半導体装置の製造方法において、前記洗浄工程として、物理的洗浄に先立って、超音波を印加した洗浄液による超音波洗浄を行う。
Claim (excerpt)：
基体上に導電性材料を成膜する工程と、該導電性材料膜を研磨する工程と、前記導電性材料膜の研磨された面を洗浄する工程と、を有する半導体装置の製造方法において、前記洗浄工程として、物理的洗浄に先立って、超音波を印加した洗浄液による超音波洗浄を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  B08B 3/12
FI (4)：
H01L 21/304 321 A ,  H01L 21/304 341 N ,  H01L 21/304 341 B ,  B08B 3/12 A
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (3)

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