Pat
J-GLOBAL ID：200903088306454706
炭化珪素単結晶インゴット、炭化珪素単結晶ウェハ及びその製造方法
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：
八田 幹雄
, 奈良 泰男
, 齋藤 悦子
, 宇谷 勝幸
, 藤井 敏史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004299088
Publication number (International publication number)：2006111478
Application date： Oct. 13, 2004
Publication date： Apr. 27, 2006
Summary：
【課題】 本発明は、高品質かつ目的の特性を有するSiC単結晶ウェハを高歩留りで作製できるSiC単結晶インゴット及びその製造方法を提供する。【解決手段】 炭化珪素単結晶のドーパント元素濃度の最大値が5×1017atoms/cm3未満で、かつ、ドーパント元素濃度の最大値が最小値の50倍以下である炭化珪素単結晶インゴット、及びその製造方法である。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
炭化珪素単結晶のドーパント元素濃度の最大値が5×1017atoms/cm3未満で、かつ、ドーパント元素濃度の最大値が最小値の50倍以下であることを特徴とする炭化珪素単結晶インゴット。
IPC (2)：
FI (2)：
C30B29/36 A
, C01B31/36 601A
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077AB06
, 4G077AB09
, 4G077BE08
, 4G077DA18
, 4G077EB01
, 4G077EC02
, 4G077FJ06
, 4G077HA12
, 4G077SA01
, 4G146MA14
, 4G146MB07
, 4G146MB14
, 4G146MB18A
, 4G146MB18B
, 4G146PA20
Cited by applicant (1)
-
高低抗炭化ケイ素の製法
Gazette classification：公表公報
Application number：特願平7-505534
Applicant：ダイムラー-ベンツアクチエンゲゼルシャフト, フラウンホーファー-ゲゼルシャフトツルフェルデルングデルアンゲヴァンテンフォルシュングエー.ファウ.
Cited by examiner (2)
Return to Previous Page
